varistors相关论文
Influence of Ag doping on the microstructure and electrical properties of ZnO-Bi2O3-based varistor c
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The electrical properties of (Nb, Li)-doped SnO2 ceramics as a new varistor material were investigated. The sample 97.95......
为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分......
ZnO-based thick film varistors have been fabricated by Y2O3 doping and low-temperature sintering,of which the sample wit......
ZnO环形压敏电阻器广泛应用于消除录音机的噪声.理论分析表明,在消除大能量噪声方面,突变型压敏电阻器优于缓变型;在消除小能量噪声时,......
采用工频试验研究的方法对不同最大持续工作电压UC、不同压敏电压下的MOV施加工频电压。通过改变施加工频电压的幅值和预期短路电......
通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y......
采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物(MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3)的前驱超细粉体.采用固相反应烧结技术在1140℃进行2h烧结制备出ZnO陶......
通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta2O5)0.25%为的样品显......
通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。SnO2·Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂......
研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非......
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.晶界势垒高度......
研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O3的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏......
研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、......
通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-V2O5-Sb2O3(ZnVSb)基压敏电阻的影响。在流延基......
在Nb2O5含量X为0.1~1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。发现x=0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm)以及最高......
本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响。化学计量比不变情况下,上述S......
摘要研究了中压体系ZnO-V2O5-MnO2(ZVM)压敏电阻的微观组织和电学性能。结果表明,MnO2含量增加有利于细化ZVM陶瓷晶粒,改善电性能,提高......
简述了我国压敏电阻器工业的发展过程,特别是20世纪90年代后期以来反取得的重大突破。提出了再用三到五年的时间使我国成为世界压敏......
从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同.通过Nb2O5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率......